有限会社ルーチェラボ
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窒化物の研究をはじめ以来、よい結果が得られました。
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年 | 区分 | 研究成果 |
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特許 | 箕浦秀樹、馬淵彰、真部勝英、”Ⅲ族窒化物の製造方法”,日本国特許 特願2003-394213. |
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2005 | 論文 | 馬淵彰、岩瀬悠里子、安田英二、杉浦隆、箕浦秀樹 “窒化リチウムと酸化ガリウムとの反応によるGaN結晶の作製”日本セラミックス協会誌、113[4]291-296(2005). http://www.ceramic.or.jp/welcomej.html 馬淵彰、岩瀬悠里子、杉浦隆、箕浦秀樹“LiGaO2の低温合成”日本セラミックス協会誌、113[5]368-372(2005). http://www.ceramic.or.jp/welcomej.html 馬淵彰, “窒化リチウムを用いたⅢ族窒化物の新規合成法” ,岐阜大学博士論文 工学 甲83. |
2006 | 第37回中部化学関係学協会支部連合秋季大会(愛知 愛知工業大学八草キャンパス)2006年11.12-13 http://www.electrochem.jp/
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2007 | 特許 | 馬淵 彰、箕浦秀樹、杉浦 隆、平野隆義、林 誠、”Ⅲ族窒化物の製造方法及び遷移金属窒化物の製造方法”、 日本国特許 特願2007-133756. http://jglobal.jst.go.jp/ 馬淵 彰、箕浦秀樹、杉浦 隆、“窒化ガリウムの製造方法” 日本国特許 特願2007-196134. http://jglobal.jst.go.jp/ 箕浦秀樹、馬淵彰、真部勝英、”Ⅲ族窒化物の製造方法”,日本国特許 特願2003-394213特許登録.特許第4034261号 http://jglobal.jst.go.jp/ |
論文 | 馬淵 彰、平野隆義、杉浦隆、箕浦秀樹、“窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製” 信学技報(IEICE Technical Report),LQE 107(23) pp.103-107,2007 1004. |
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国際会議 | アドバンス材料とその応用国際会議(シバジ大学、コラプール、インド)2007.11.15-17
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国内学会 | 2007年日本金属学会秋期141回大会・日本鉄鋼協会第154回秋期講演会(岐阜大学)2007.9.19~21 http://www.sendai.kopas.co.jp/METAL/MEETINGS/
電子情報通信学会研究会(福井 福井大学) 2007.10.11-12 「窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製」
第18回日本MRS学術シンポジム(東京 日本大学理工学部駿河台キャンパス) 2007.12.7-9 http://www.mrs-j.org/symposia/18th/session_program/18th_program_Q.html 「Ga浴中におけるGa2O3とLi3Nとの反応によるGaNの結晶成長」/ Crystal Growth of GaN by the Reaction of Ga2O3 with Li3Nin Liquid Ga
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2008 | 論文 | T. Zhang, A. Mabuchi, |
2009 | 論文 | T. Hirano, A. Mabuchi, |